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J-GLOBAL ID：200903090969186220
磁性薄膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143299
Publication number (International publication number)：1993315131
Application date： May. 08, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 金属イオンを親水基との配位を利用して多層二分子膜薄膜に金属イオンを導入し、磁気異方性の高い薄膜を得る。【構成】 正又は負の電荷をもつ金属イオン及び二分子膜形成能を有する正及び負のイオン性親水基を併せもつ両親媒性物質を含有する分散液を基板上に展開し、形成された液膜から溶媒を徐々に除去することによって多層二分子膜薄膜を形成する。金属イオンは、両親媒性物質の一方の親水基に配位することにより、多層二分子膜薄膜の内部に導入・固定化され、多層二分子膜薄膜の高い二次元配向異方性を反映した状態で磁気異方性を向上させる。【効果】 得られた薄膜は、磁気異方性や加工特性を利用し、磁気記録材料,磁気記録媒体,電磁波吸収体,小型モータ,変圧器,電磁変換素子等の広範な分野において使用される。
Claim (excerpt)：
正又は負の電荷をもつ金属イオンと正及び負のイオン性親水基を併せもつ二分子膜形成能を有する両親媒性物質とを含有する分散液を基板上に展開した後、前記基板上に形成された液膜から溶媒を除去することによって多層二分子膜薄膜を形成することを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
IPC (3)：
H01F 10/00
, H01F 1/34
, H01F 41/14
