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J-GLOBAL ID：200903090987953319

半導体結晶ウェハ

Inventor： 谷 毅彦 ,  池田 健
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001278300
Publication number (International publication number)：2003086553
Application date： Sep. 13, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハを提供する。【解決手段】 研磨終了直後に、水温15°C以下の超純水で洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハが得られる。

Claim (excerpt)：

研磨終了直後に、水温15°C以下の超純水で洗浄されたことを特徴とする半導体結晶ウェハ。

IPC (3)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 M

F-Term (2)：

5F043BB27 ,  5F043DD16