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J-GLOBAL ID：200903090993443500

サセプタ

Inventor： 浅野 英利 ,  神本 武彦
Applicant, Patent owner： 東芝セラミツクス株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991310602
Publication number (International publication number)：1993152210
Application date： Nov. 26, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】重金属汚染、パーティクル付着、エピタキシャル層でのスリップの発生などを少なくできるサセプタを提供する。【構成】単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなるサセプタ本体の表面に、SiO2 、SiC、Si3 N4 もしくは多結晶シリコン、またはこれらの積層膜を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなるサセプタ本体の表面に、SiO2 、SiC、Si3 N4 もしくは多結晶シリコンの単層膜またはこれらの積層膜を形成したことを特徴とするサセプタ。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31