Pat
J-GLOBAL ID：200903090993456726
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249197
Publication number (International publication number)：1994104428
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】高融点金属の拡散現象に起因するゲート耐圧不良を防止し、信頼性の高いポリサイドゲート形の半導体装置を提供すること。【構成】ポリサイドからなるゲート電極3の多結晶シリコン層を、第1の多結晶シリコン層4及び第2の多結晶シリコン層6の2層構造とし、その層間に高融点金属の拡散現象を抑止するための層間膜5を設けた。【効果】ゲート電極形成後の熱処理の際、シリサイド層と多結晶シリコン層との反応によって生じる高融点金属の拡散現象が層間膜によって抑止されることにより、ゲート絶縁膜が拡散した高融点金属によって汚染されることがなく、それに伴うゲート耐圧不良を防止することができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板主面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有する絶縁ゲート形電界効果トランジスタからなる半導体装置であって、前記ゲート電極は第1の多結晶シリコン層と、該第1の多結晶シリコン層の上面に形成された層間膜と、該層間膜上の第2の多結晶シリコン層と、該第2の多結晶シリコン層表面に被着せしめられた高融点金属又は高融点金属とシリコンとの化合物からなるシリサイド層との積層構造をなしており、前記層間膜は前記ゲート絶縁膜より薄く形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 29/62
