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J-GLOBAL ID：200903091000557839

太陽電池およびその製造方法

Inventor： 斉藤 恵志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991211908
Publication number (International publication number)：1993055611
Application date： Aug. 23, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 非単結晶半導体層が異常成長することのない凹凸を金属基板の表面に形成して、太陽電池の変換効率を向上させる。【構成】 太陽電池10は、金属基板11と、金属基板11の表面に順次積層された、n型半導体層12,i型半導体層13およびp型半導体層14と、p型半導体層14上に形成された透明電極(不図示)と、透明電極上に形成された集電電極(不図示)とからなる。ここで、金属基板11の表面全体には、断面が円弧状の複数の痕跡くぼみ15が形成されており、かつ痕跡くぼみ15の互いに隣接する境界部に形成された突起の先端が曲面となっている。

Claim (excerpt)：

第1の導電型非単結晶半導体層とi型非単結晶半導体層と前記第1の導電型非単結晶半導体層と導電型が異なる第2の導電型非単結晶半導体層とが、金属基板の表面に順次積層されてなる太陽電池において、前記金属基板の表面全体に、断面が円弧状の複数の痕跡くぼみが形成されており、かつ該痕跡くぼみの互いに隣接する境界部に形成された突起の先端が曲面となっていることを特徴とする太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-154183
  
• 特開昭64-059965