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J-GLOBAL ID：200903091025078250

磁気トンネル接合素子及び読取りセンサ

Inventor： スチュアート・ステファン・パップワース・パーキン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998257921
Publication number (International publication number)：1999161919
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 MTJ素子の形成を多大に複雑化すること無く、単一の素子内の強磁性層間のまたはMTJ素子間の静磁気相互作用を制御可能に低減するように、強磁性層のネットの磁気モーメントが低減されるMTJ素子を提供すること。【解決手段】 磁気記録読取りヘッドまたは磁気メモリ記憶セル内で有用な改善された磁気トンネル接合(MTJ素子)が、2つの強磁性層、すなわち"ハード"または"固定"強磁性層118及び検出または"自由"強磁性層132から成り、これらが薄い絶縁トンネル層120により分離される。強磁性層の各々は、薄い反強磁性結合膜116を跨いで互いに反強磁性に結合される、2つのより薄い強磁性膜から形成される多重層である。反強磁性結合膜はその材料組成及び厚さに関し、外部磁場が無いとき自身を挟む2つの強磁性膜の磁気モーメント133が、互いに逆平行に整列されるように選択される。

Claim (excerpt)：

印加磁場の存在の下で、磁気モーメントが好適な方向に固定され、互いに反強磁性的に結合される第1及び第2の強磁性膜と、前記第1及び第2の強磁性膜の間に接触して配置される反強磁性結合膜とを含む、固定強磁性多重層と、印加磁場の存在の下で、磁気モーメントが自由に回転でき、互いに反強磁性的に結合される第1及び第2の強磁性膜と、前記第1及び第2の強磁性膜の間に接触して配置される反強磁性結合膜とを含む、自由強磁性多重層と、前記固定強磁性多重層と前記自由強磁性多重層との間に接触して配置され、前記固定強磁性多重層及び自由強磁性多重層間のトンネル電流を許可する絶縁トンネル層とを含む、磁気トンネル接合素子。