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J-GLOBAL ID：200903091041305941

露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 佐藤 光弥 ,  野口 美代子
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993148536
Publication number (International publication number)：1994333802
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ面上のレジストにパターンを高解像度で転写露光することのできる露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 照明系からの光束で被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影レンズにより基板面上に投影露光する際、露光中に該照明系の開口数と該投影レンズの開口数のうち少なくとも一方の開口数を変化させていること。

Claim (excerpt)：

照明系からの光束で被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影レンズにより基板面上に投影露光する際、露光中に該照明系の開口数と該投影レンズの開口数のうち少なくとも一方の開口数を変化させていることを特徴とする露光装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G02B 3/00 ,  G03B 27/32

FI (2)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 311 S