プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998084017
Publication number (International publication number)：1998335097
Application date： Mar. 30, 1998
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体製造装置等における特に側壁面に付着した被成膜材のクリーニングにおいて、より効率的で速度の速いクリーニングを行うことが出来るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理を行う処理室内の側壁1と天板2の間を絶縁構造で区分し、側壁1や天板2の電位を高周波電源12や接地に切り替えられる手段を設ける。たとえば、成膜などのプロセス時は天板2の電位を高周波電源12、側壁1を接地とし、クリーニング時は側壁1や天板2に負電位を与えられるようにする。

Claim (excerpt)：

被処理物を載置する基板電極が設けられたプラズマ処理室と、該基板電極に接続された第一の高周波電力供給系と、前記基板電極と対向し前記プラズマ処理室の一部を兼ねる対向電極とを備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理室の壁が、前記対向電極を兼ねる壁部分を含む、相互に電気絶縁された複数の壁部分を有し、第二の高周波電源を含む複数の電力供給系を前記各壁部分に対して選択的に接続可能な電力供給手段を設けた、ことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (11)：

H05H 1/46 , C23C 14/00 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/31

FI (12)：

H05H 1/46 B , H05H 1/46 C , C23C 14/00 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 Z , H01L 21/304 341 D , H01L 21/31 C , H01L 21/265 F , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-179568 Applicant：日新電機株式会社
プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-222766 Applicant：三菱電機株式会社
マイクロ波プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-004930 Applicant：住友金属工業株式会社

Show all

Return to Previous Page