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J-GLOBAL ID：200903091067558066
炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
関 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996150085
Publication number (International publication number)：1997310170
Application date： May. 21, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 高度な表面平坦性を有し機械的強度が高く表面が清浄な炭化珪素薄膜が絶縁体上に形成されている構造を有する炭化珪素薄膜構造体の作製方法を提供する。【解決手段】 平坦な基板21上に炭化珪素薄膜22を堆積させ、基板の一部を除去して開口部23を設けて基板に面している炭化珪素薄膜界面を露出させた上でそれを覆う酸化膜層24を付与し、さらに開口部側の炭化珪素薄膜上の酸化膜層部分を除去して炭化珪素薄膜を露出させることにより、平坦で清浄な炭化珪素薄膜面を有する炭化珪素薄膜構造体20を形成する。さらに、基板開口部の酸化膜層付き炭化珪素薄膜の部分を分離させることにより独立の炭化珪素薄膜構造体を得ることもできる。
Claim (excerpt)：
基板上に炭化珪素薄膜を堆積させ、基板の一部を除去して開口部を設け、基板に面している炭化珪素薄膜界面を露出させ、少なくとも露出した炭化珪素薄膜の一部を覆う酸化膜層を付与し、該酸化膜層のうち基板開口部側の炭化珪素薄膜上に形成した酸化膜層部分を除去して該炭化珪素薄膜を露出させることを特徴とした炭化珪素薄膜構造体の作製方法。
IPC (5)：
C23C 14/10
, B01J 19/08
, C30B 25/02
, C30B 29/36
, H01L 21/205
C23C 14/10
, B01J 19/08 F
, C30B 25/02 Z
, C30B 29/36 A
, H01L 21/205
