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J-GLOBAL ID：200903091093250738

半田ボール電極形成方法及びその半田ボール電極形成方法に用いる半田微細球位置決め治具

Inventor： 橋爪 二郎 ,  齋藤 宏 ,  葛原 一功
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994007252
Publication number (International publication number)：1995212021
Application date： Jan. 26, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半田微細球を半導体素子本体に確実かつ容易に取り付ける。【構成】 半導体素子本体16を凹部15aに挿入し半田微細球位置決め治具15の裏面15cを上方に向けた状態で裏面15c上に半田微細球17を多量に流して落とし込み穴15bの内部に半田微細球17を落とし込み、加熱して半導体素子本体16に半田微細球17を接合する。【効果】 複雑な設備を用いなくとも、半田微細球17を確実に、かつ容易に半導体素子本体16の裏面上に形成されたパッド18上に配置することができる。

Claim (excerpt)：

半田微細球を半導体素子本体の接続電極とする半田ボール電極形成方法において、半田濡れのない材料で構成された略平板状の治具であって、表面に前期半導体素子本体を位置決めする凹部を備えると共に、その凹部底面の所定位置に前期半田微細球をその内部に配置することによって前期半田微細球を位置決めする落とし込み穴を備えた半田微細球位置決め治具を用い、前期半導体素子本体を前期凹部に挿入し前期半田微細球位置決め治具の裏面を上方に向けた状態で前期半田微細球を前期落とし込み穴内部に配置する工程と、加熱して前期半導体素子本体に前期半田微細球を接合する工程とを含むことを特徴とする半田ボール電極形成方法。

IPC (2)：

H05K 3/34 505 ,  H05K 3/24