基板製造方法及び基板製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：佐野静夫 , 山田茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004103372
Publication number (International publication number)：2005294325
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

【課題】切り屑なしに短時間で容易にインゴットから多数枚の薄い基板を剥離して得ることが可能な基板製造方法と、それに用いる基板製造装置を提供する。【解決手段】集光レンズ6でレーザー光2の集光点をインゴット7の内部に合わせ、そのレーザー光2でインゴット7を相対的に走査することにより、インゴット7の内部に多光子吸収による面状の加工領域8を形成する。そして、インゴット7の表面から集光レンズ6までの距離を段階的に大きくすることにより、インゴット7の内部に複数の面状の加工領域8を形成する。その加工領域8を剥離面とし、インゴット7の一部を基板として剥離する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

集光レンズでレーザー光の集光点をインゴットの内部に合わせ、そのレーザー光でインゴットを相対的に走査することにより、インゴットの内部に多光子吸収による面状の加工領域を形成し、その加工領域を剥離面としインゴットの一部を基板として剥離する基板製造方法であって、前記インゴットの表面から前記集光レンズまでの距離を段階的に大きくすることにより、インゴットの内部に複数の前記面状の加工領域を形成することを特徴とする基板製造方法。

IPC (3)：

H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/04

FI (4)：

H01L21/304 611Z , B23K26/00 N , B23K26/00 320E , B23K26/04 C

F-Term (7)：

4E068AE01 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CA11 , 4E068CE03 , 4E068DA10 , 4E068DB11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-379470 Applicant：株式会社小松製作所
基板製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-177984 Applicant：株式会社日立製作所
半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-198014 Applicant：信越半導体株式会社

Show all

Return to Previous Page