超低静電容量配線のためのエアギャップを備える半導体装置の製造

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大島正孝
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998534649
Publication number (International publication number)：2001514798
Application date： Jan. 21, 1998
Publication date： Sep. 11, 2001
Summary：

【要約】固体構造物内にそして特に半導体構造物内に空所(26)または複数の空所を形成して金属線の如き電気素子間の誘電接続を減少させる方法。その際、半導体構造物中の閉ざされた内部容積を占める犠牲材料(20)としてノルボルネン系ポリマーが用いられる。この犠牲材料(20)は1種またはそれ以上のガス状分解生成物に分解せしめられ、被覆層(24)を通して、好ましくは拡散により、除去される。犠牲物質の分解はノルボルネン系ポリマーによって以前に占められていた閉ざされた内部容積で空所(26)または複数の空所を残す。空所は電気リード間に配置されてそれらの間の誘電接続を最小限にする。

Claim (excerpt)：

半導体構造物中の閉ざされた内部容積を占めるために犠牲材料を使用し; 犠牲材料を1種またはそれ以上のガス状分解生成物に分解せしめ;そして 1種またはそれ以上のガス状分解生成物の少なくとも1つを、上記内部容積に隣接する少なくとも1つの固体層を通過することによって除去する、上記工程からなり、そして上記犠牲材料の分解はそれが以前に占めていた閉ざされた内部容積に空所を残しそして上記犠牲材料はノルボルネン系ポリマーからなる、半導体構造物内に空所を形成する方法。

IPC (6)：

H01L 21/768 , C08F 32/00 , H01L 21/312 , H01L 21/56 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (5)：

C08F 32/00 , H01L 21/312 A , H01L 21/56 R , H01L 21/90 N , H01L 23/30 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

金属導線の間に空隙を備えた半導体装置とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-128488 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-184282 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-063807

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Reduced Capacitance Interconnect System using Decomposition of Air Gap Filler Material

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