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J-GLOBAL ID：200903091104182080

高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法

Inventor： 大山 直樹 ,  江頭 良夫
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991333098
Publication number (International publication number)：1993163375
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jun. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高分子系薄膜の微細加工に適用しうる高分子系薄膜のドライエッチング法に関する。【構成】 基板に高分子系材料を塗布した後、金属製形板を前記高分子系材料の上に載せ、その後、前記金属製形板の開放部の高分子系薄膜をドライエッチングした後、前記金属製形板をとりはずすようにした高分子系薄膜のドライエッチング加工法。

Claim (excerpt)：

基板に高分子系材料を塗布した後、金属製形板を前記高分子系材料の上に載せ、その後、前記金属製形板の開放部の高分子系薄膜をドライエッチングした後、前記金属製形板をとりはずすことを特徴とする高分子系薄膜のドライエッチング加工法。

IPC (3)：

C08J 7/00 306 ,  G01K 7/22 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-047734
  
• 特開昭60-261574
  
• 特開昭61-053335