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J-GLOBAL ID：200903091133731602

シリコン単結晶およびその製造方法

Inventor： 長谷部 政美 ,  中居 克彦 ,  宮内 雅弘 ,  岩崎 俊夫
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997197549
Publication number (International publication number)：1999043397
Application date： Jul. 23, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 チョクラルスキー法により製造される結晶において、COPおよびCOP発生原因となる微小欠陥を低減させる結晶引上げ方法を提供する。【解決手段】 結晶を融点から1300°C以上の温度領域を400分以上徐冷して引き上げる(方法1)、方法1に加えて1350°C以上の温度領域を通過する時間を60分未満とする(方法2)、方法1に加えて引上げ速度(v:mm/分)と凝固界面の結晶温度勾配(G:°C/mm)の比v/Gが0.13よりも大きくなる条件で結晶引上げを行う(方法3)、方法1あるいは方法2あるいは方法3に加えて1100°Cから1000°Cの温度領域を結晶冷却速度1.0°C/分未満で徐冷する(方法4)、方法1あるいは方法2あるいは方法3に加えて、1100°Cから1000°Cの温度領域を結晶冷却速度1.0°C/分以上で急冷する(方法5)より成る。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、融点から1300°Cの結晶温度領域内を通過する時間が400分以上である結晶引き上げ成長をすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-134274   Applicant：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶棒およびその引上げ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092064   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 低欠陥密度シリコン
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-543182   Applicant：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド