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J-GLOBAL ID：200903091143156860

CVDにより造られた単結晶ダイヤモンド

Inventor： スカースブルック、ジェフリー、アラン ,  マルティノー、フィリップ、モーリス ,  コリンズ、ジョン、ロイド ,  サスマン、リカルド、サイモン ,  ドルン、ボルベル、シュザンヌ、シャルロッテ ,  ホワイトヘッド、アンドリュー、ジョン ,  トウィッチェン、ダニエル、ジェイムズ
Applicant, Patent owner： エレメント シックス (プロプライエタリイ)リミテッド
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  池田 幸弘 ,  長沼 暉夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002510741
Publication number (International publication number)：2004503460
Application date： Jun. 14, 2001
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

CVDよにり造られ、そしてダイヤモンドを電子的応用のために適当なものとする、1つ又はそれ以上の電子特性を有する単結晶ダイヤモンド。その単結晶CVDダイヤモンドを形成する方法もまた提供される。

Claim (excerpt)：

CVDにより造られ、そして下記の特性の少なくとも1つを有する単結晶ダイヤモンド: (i)オフ状態で、300Kで測定された、50V/μmの印加電場で、1x1012Ωcmより大きな抵抗率R1; (ii)オフ状態で高い破壊電圧、及びオン状態で長いキャリヤー寿命を有する高い電流; (iii)300Kで測定された、2400cm2V-1s-1より大きな電子移動度(μe); (iv)300Kで測定された、2100cm2V-1s-1より大きな正孔移動度(μh);及び (v)1V/μmの印加電場で300Kで測定された、150μmより大きな高い収集距離。

IPC (3)：

C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  H01L21/205

FI (4)：

C30B29/04 W ,  C30B29/04 A ,  C23C16/27 ,  H01L21/205

F-Term (28)：

4G077AA03 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077HA05 ,  4G077TK10 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-145038   Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 大サイズ単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156171   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド