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J-GLOBAL ID：200903091143447201
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004349
Publication number (International publication number)：1993206461
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】高融点金属からなるゲート電極と、ゲート引出電極との良好な接続を実現したMOSFETの構造を提供する。【構成】MoまたはWからなるゲート電極金属3および保護膜4を連続して堆積したのちフォトレジスト5をマスクとしてエッチングする。つぎにPSG膜8を堆積し、ソース-ドレインコンタクトおよびゲート引出用コンタクトを開口する。つぎにゲート引出用コンタクトを覆っている保護膜4をエッチングしてゲート電極金属3の表面を露出する。つぎにアルミニウムなどからなるソース電極9、ドレイン電極10、ゲート引出電極11を形成する。【効果】高融点金属からなるゲート電極上を保護膜で覆って、ゲート電極形成後のゲート電極の酸化を防止する。その結果、ゲート電極とゲート引出電極との良好なコンタクトを得て、安定した高周波特性を実現した。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一主面上に絶縁膜を堆積する工程と、全面にゲート電極金属および保護膜を順次堆積したのち前記保護膜および前記ゲート電極金属を選択エッチングして同一平面形状のゲート電極および前記保護膜を形成する工程と、前記保護膜および前記ゲート電極をマスクとしてイオン注入によりソース-ドレイン層を形成する工程と、全面に絶縁膜を堆積したのちゲート引出電極用の開口を形成する工程と、前記開口の前記保護膜を除去したのちゲート引出電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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