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J-GLOBAL ID:200903091154876953

化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999358766
Publication number (International publication number):2001174997
Application date: Dec. 17, 1999
Publication date: Jun. 29, 2001
Summary:
【要約】【解決手段】 分子内にフッ素原子を1つ以上含む溶媒を配合してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【効果】 本発明のレジスト用溶媒は、フッ素置換ポリマーの溶解性に優れ、スピンコートにおける製膜性に優れるものである。従って、本発明の溶媒を含むレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料用の溶媒となり得るもので、スピンコート可能で、安定、安全で超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
Claim (excerpt):
分子内にフッ素原子を1つ以上含む溶媒を配合してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (4):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (19):
2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF03 ,  2H025BF07 ,  2H025BF15 ,  2H025BJ01 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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