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J-GLOBAL ID:200903091156729826

半導体装置、およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 稔 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997305127
Publication number (International publication number):1999145183
Application date: Nov. 07, 1997
Publication date: May. 28, 1999
Summary:
【要約】【課題】 半導体チップと所定の接続対象物との接合に際して使用される樹脂製接着剤の影響を回避して、良好な電気的な接続状態が維持された半導体装置、およびこれの製造方法を提供する。【解決手段】 外部との電気的な導通を図るための電極パッド30が形成された所定の接続対象物(第1の半導体チップ)3上に、樹脂製接着材6を介して第2の半導体チップ4が機械的に接合された半導体装置1において、第1の半導体チップ3に、各半導体チップ3,4どうしを接合する際に、液状とされた樹脂製接着剤6が流動させられた場合に、この樹脂製接着剤6によって電極パッド30が覆われてしまわないようにするための保護手段を設けた。好ましくは、保護手段を、電極パッド30の周縁部近傍に形成された溝部34またはダム部、あるいは電極パッド30を覆うようにして突出形成された導体バンプ35とし、また、溝部34、ダム部、または導体バンプ35の液状とされた樹脂製接着剤6の流れ方向と対向する部位を、への字状あるいは円弧状とする。
Claim (excerpt):
外部との電気的な導通を図るための電極パッドが形成された所定の接続対象物上に、樹脂製接着材を介して半導体チップが機械的に接合された半導体装置であって、上記接続対象物には、上記半導体チップと上記接続対象物とを接合する際に、液状とされた樹脂製接着剤が流動させられた場合に、この樹脂製接着剤によって上記電極パッドが覆われてしまわないようにするための保護手段が設けられていることを特徴とする、半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/60 301 ,  H01L 23/28
FI (2):
H01L 21/60 301 P ,  H01L 23/28 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-069945
  • 混成集積回路の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-268739   Applicant:日本電気株式会社
  • 特開平4-242942
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