Pat
J-GLOBAL ID:200903091161461459
絶縁膜、その形成方法、その絶縁膜を用いた半導体素子および液晶ディスプレイ
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大垣 孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994013309
Publication number (International publication number):1995221085
Application date: Feb. 07, 1994
Publication date: Aug. 18, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ポリシロキサン誘導体から形成された酸化膜からなる絶縁膜であって、横方向の電気抵抗の大きな絶縁膜の提供。【構成】 アルコキシ基を具えたポリシロキサン誘導体としてのポリ(ジ-t-ブトキシシロキサン)、酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフレートとをモノクロロベンゼンに溶解して塗布液を調製する。次に、この塗布液を回転塗布し、5分間全面露光し、100°Cで2分間加熱して酸化膜を得る。次に、酸化膜の形成された基板をHMDS(ヘキサメチルジシラザン)のベーパー中に2分間保持してシランカップリング処理を行って絶縁膜を得る。この絶縁膜の横方向の抵抗率を測定したところ1011Ω・cmとなり、処理を行わない場合に比べて抵抗率が約2桁増大した。
Claim (excerpt):
下記の(1)および(2)式に示す少なくとも一方のアルコキシ基を具えたポリシロキサン誘導体と酸発生剤とを含む樹脂組成物から形成された酸化膜からなる絶縁膜であって、シランカップリング剤により表面処理された絶縁膜であることを特徴とする絶縁膜。【化1】但し、R1 、R2 、R3 およびR4 はアルキル基を表し、それぞれ互いに同一でも異なっても良い。また、mおよびnはそれぞれ重合度を表す。
IPC (3):
H01L 21/312
, G02F 1/136 500
, H01L 21/316
Return to Previous Page