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J-GLOBAL ID：200903091166096643

超電導デバイス及びその製造方法

Inventor： 名取 栄治 ,  上川 武富 ,  岩下 節也
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025675
Publication number (International publication number)：1998223934
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 粒界型の超電導デバイスにおいて、常電導抵抗を高め、超電導デバイス以外のデバイスとのインピーダンス整合を図れ易くすること。また、電磁波(電波)の強弱に関係なく使用制限の無い主に通信に用いる超電導デバイスを提供すること。【解決手段】 ジョセフソン接合の常電導抵抗をインピーダンス整合が図れ易い値にするために、バイクリスタル基板1の基板接合部2上に酸化物超電導膜3を形成し、該酸化物超電導膜3の接合部2に超電導体内のクーパーペアが通る経路を構成する元素と異なる元素を拡散させる。また臨界電流の異なるジョセフソン素子を複数個有し、ジョセフソン素子に入力する高周波電流の強弱に応じ適正な臨界電流を有するジョセフソン素子を選択して用いる。

Claim (excerpt)：

超電導薄膜の粒界部に超電導体内のクーパーペアが通る経路を構成する元素と異なる元素を拡散せしめジョセフソン接合を形成して成ることを特徴とする粒界型の超電導デバイス。

IPC (4)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01R 29/08 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (4)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01R 29/08 ZAA F ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA J