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J-GLOBAL ID：200903091172909133

Si発光装置とその製造方法

Inventor： 山田 雅雄 ,  中野 元雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992230156
Publication number (International publication number)：1994013653
Application date： Aug. 28, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 量子細線を用いたSi発光装置とその製造方法に関し、電気的励起によって発光することのできるSi発光装置を提供することを目的とする。【構成】 第1の導電型のSi層の少なくとも表面部に形成され、バルクSiとは遷移エネルギの異なるSi量子細線集合体で形成されたポーラス領域と、前記ポーラス領域の表面上に形成され、第2導電型のキャリア供給機能を有し、前記ポーラス領域との間にダイオード構造を構成する対向層とを有する。

Claim (excerpt)：

第1の導電型のSi層(1)の少なくとも表面部に形成され、バルクSiとは遷移エネルギの異なるSi量子細線集合体で形成されたポーラス領域(21、22、23)と、前記ポーラス領域の表面上に形成され、第2導電型のキャリア供給機能を有し、前記ポーラス領域との間にダイオード構造を構成する対向層(31、41;32、42;43、52)とを有するSi発光装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C01G 19/00 ,  C23C 16/24