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J-GLOBAL ID：200903091180515195

評価装置及びそれに用いる回路設計方法

Inventor： 田辺 昭
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： ▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002373349
Publication number (International publication number)：2004205301
Application date： Dec. 25, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】MOSFETのAC動作でのI-V特性を精度良く測定可能な評価装置を提供する。【解決手段】評価装置1において、AC入力信号重畳回路11はMOSFETのゲート・ソース・ドレイン・基板にDC電圧を印加し、ゲートに微小電圧のAC入力信号を重畳する。AC成分測定回路12はその時のソース-ドレイン間に流れる電流のAC成分を測定し、相互コンダクタンス算出回路13は電流のAC成分の振幅とAC入力信号の振幅との比較を行い、この比からMOSFETのAC入力信号の周波数における相互コンダクタンスを求める。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)のゲート・ソース・ドレイン・基板にDC電圧を印加した状態で前記ゲートに微小電圧のAC入力信号を重畳する手段と、前記ゲートに微小電圧のAC入力信号を重畳した時に前記ソースと前記ドレインとの間に流れる電流のAC成分を測定する手段と、この測定した前記AC成分の振幅と前記AC入力信号の振幅との比から前記MOSFETの前記AC入力信号の周波数における相互コンダクタンスを求める手段とを有することを特徴とする評価装置。

IPC (1)：

G01R31/26

FI (1)：

G01R31/26 B

F-Term (5)：

2G003AA02 ,  2G003AA07 ,  2G003AB01 ,  2G003AE02 ,  2G003AH00