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J-GLOBAL ID：200903091235852242

イメージセンサの透明電極の製造方法

Inventor： 山崎 憲二
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 石井 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189886
Publication number (International publication number)：1994013598
Application date： Jun. 24, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 透明導電膜のエッチング残渣が発生することのない、イメージセンサの透明電極の製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上に、金属電極2を成膜し、パターニングする。次に、オーミック層として、Pドープa-Si膜3を、光電変換層としてノンドープa-Si膜4を、それぞれ成膜する。さらに、透明電極として、ITO膜5をスパッタリング法により成膜する。次に、熱処理を行ない、ITO膜5を結晶化させる。さらに、レジストパターンを形成し、エッチングして、ITO膜5をパターニングし、所望のITOパターンを得る。

Claim (excerpt)：

イメージセンサの透明電極の製造方法において、透明導電膜を成膜し、該透明導電膜を結晶化させた後、エッチングを行なうことを特徴とするイメージセンサの透明電極の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/90