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J-GLOBAL ID：200903091240640911
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334263
Publication number (International publication number)：1994120206
Application date： Nov. 22, 1991
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 信頼性の高い絶縁膜と半導体との界面(例えば、酸化膜/シリコン界面)を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 プラズマを伴わない水素活性種によりシンタリング処理された絶縁膜を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
プラズマを伴わない水素活性種によりシンタリング処理された絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/31
, H01L 21/283
, H01L 21/324
, H01L 29/784
