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J-GLOBAL ID：200903091250525274
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000309822
Publication number (International publication number)：2002118328
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 環境に配慮した材料を用い、量産化が可能な構成をもち、緑色から紫外の波長域に発光波長を制御できる構成を備え、高性能で高効率で高信頼性の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明は、六方晶系ZnOは、励起子結合エネルギーが大きいため室温においても高密度の励起子が存在するので、これを活性層101に用いた場合、高い発光効率を持つ素子が得られ、六方晶III-V族化合物からなる基板(104)を用いると、格子整合を取りやすくなるため六方晶ZnO系の良好なエピタキシャル成長膜が得られ、高効率の半導体発光素子を得ることができる。
Claim (excerpt)：
II-VI族化合物半導体からなる1つまたは2つのクラッド層とII-VI族化合物半導体からなる活性層を備える半導体発光素子において、前記クラッド層の少なくとも1つと前記活性層が少なくともZn元素とO元素とを含み、前記活性層及び前記クラッド層の結晶系が六方晶であり、前記活性層及び前記クラッド層が少なくとも六方晶III-V族化合物からなる基板の上に設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (9)：
5F073AA04
, 5F073AA74
, 5F073CA22
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA26
, 5F073EA05
, 5F073EA23
