Pat

J-GLOBAL ID：200903091250963921

多結晶半導体薄膜の製造方法

Inventor： 織田明博 ,  小島義己 ,  伊藤政隆
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341672
Publication number (International publication number)：1993175235
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大面積を有するアクティブマトリックス型液晶ディスプレイ等において動作速度の速い薄膜トランジスタを均一に、しかもスループット良く作製する方法を提供することを目的とする。【構成】 レーザアニール法においてレーザ強度分布を所定の幅で均一になるように整形し、アニールすることによって均一な結晶性を持つストライプ状の多結晶半導体層を得る。またこのストライプ状の多結晶半導体層を必要な場所にだけ形成し、画素部、駆動回路分のトランジスタをこのストライプ内に組み込むことによってスループットも向上する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン膜に、レーザビームを照射しアニールする多結晶半導体膜の製造方法において、レーザビームはガラス基板上に形成される薄膜トランジスタ列の幅より大きい幅で強度が一定となるように整形され、このレーザビーム、若しくはガラス基板を移動させ、前記非単結晶半導体を所定の幅を持つストライプ状にアニールすることを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268