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J-GLOBAL ID：200903091257737943

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 水由 明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998158785
Publication number (International publication number)：1999354882
Application date： Jun. 08, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 リッジ構造を有する半導体レーザにおいて、電流狭窄幅と光閉込め幅とを各々独立に制御可能とし、それにより、確実に光閉込めの範囲内に電流狭窄する。また素子抵抗の増大を抑えて、しかも高い歩留まりで製造できるようにする。【解決手段】 クラッド層17、20にリッジ構造が形成された半導体レーザにおいて、リッジ構造を、比較的幅の狭い第1リッジ部31と、この第1リッジ部31よりも活性層14に近い側に形成され、該第1リッジ部31とは幅が不連続でそれよりも広い幅とされた第2リッジ部32とから構成する。

Claim (excerpt)：

クラッド層にリッジ構造が形成された半導体レーザにおいて、前記リッジ構造が、比較的幅の狭い第1リッジ部と、この第1リッジ部よりも活性層に近い側に形成され、該第1リッジ部とは幅が不連続でそれよりも広い幅とされた第2リッジ部とからなることを特徴とする半導体レーザ。