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J-GLOBAL ID：200903091258150946

基板のエッチング方法及びエッチング装置

Inventor： 橋本 誠
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994010013
Publication number (International publication number)：1995221073
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 エッチング終点を適正にすることにより、ばらつきのない所定のエッチングを達成し、はり合わせSOI基板用Si段差形成等についても、均一な段差を形成できる基板のエッチング方法及びエッチング装置を提供する。【構成】 SOI基板形成用Si基板等の被エッチング基板1をエッチングする際、被エッチング基板材料とはエッチングレートの異なる熱SiO2 等の材料によりモニタ膜3を形成しておき、被エッチング基板と該モニタ膜とを同時にエッチングするとともに、モニタ膜の膜厚をモニタすることによって基板のエッチング終点を検出する。例えばモニタ膜がエッチング除去される時点をもって被エッチング基板のエッチング終点とする。これを、光学系及び測定系を備えた装置によりモニタする。

Claim (excerpt)：

被エッチング基板をエッチングする際、被エッチング基板材料とはエッチングレートの異なる材料によりモニタ膜を形成しておき、被エッチング基板と該モニタ膜とを同時にエッチングするとともに、モニタ膜の膜厚をモニタすることによって基板のエッチング終点を検出することを特徴とする基板のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 L