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J-GLOBAL ID：200903091264841470
半導体基体の表面処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991193095
Publication number (International publication number)：1993036672
Application date： Aug. 01, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】シリコン露出面の自然酸化膜成長を抑制しながら、汚染の少ない親水性面を出す半導体基体の表面処理方法を提供することを目的とする。【構成】第4アンモニウム塩基に非イオン界面活性剤を加えた水溶液を用いて、処理温度60°C以下の条件で表面処理を行って、自然酸化膜の成長を抑制しながら、汚染の少ない親水性のシリコン露出面を得る。
Claim (excerpt)：
シリコン面が露出した半導体基体を、第4アンモニウム塩基溶液を用いて、前記シリコン面が親水性となる低い液温条件で処理することを特徴とする半導体基体の表面処理方法。
Patent cited by the Patent：
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