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J-GLOBAL ID：200903091272529818

レーザ・ダイオード・モジュール

Inventor： 楠 浩典
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992112899
Publication number (International publication number)：1993315707
Application date： May. 01, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 レーザ・ダイオード・モジュールにおけるレーザ・ダイオード・チップの高精度温度検出。【構成】 V50Ru50合金からなる薄膜温度センサ3をレーザ・ダイオード・チップ2の表面に設け、レーザ・ダイオード・チップの高精度温度測定を可能とする。そして、この温度測定情報に基づいて電子冷却素子5を制御し、レーザ・ダイオードの接合温度の一定化を図り、レーザ光の出力安定化を達成する。

Claim (excerpt)：

レーザ・ダイオード・チップが組み込まれたレーザ・ダイオード・モジュールであって、前記レーザ・ダイオード・チップの表面に温度センサが設けられていることを特徴とするレーザ・ダイオード・モジュール。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/00