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J-GLOBAL ID：200903091277718350
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999197006
Publication number (International publication number)：2000040366
Application date： May. 06, 1988
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置の動作条件の変動に対応した動作を行う回路を提供する。【解決手段】 内部回路(2)の動作特性を位相情報を含む第1信号(φ1', φ2')によって出力する検出回路(4)と、それらに所定の電源電圧(Vcont)を供給するための配線(5)と、第1信号を受けてその位相差を検出するとともに当該検出した位相差に応じた検出電圧を出力する回路(F/F他)と、基準電圧と検出電圧を比較してその差に応じた電圧を所定の電源電圧として配線に出力する増幅回路(7)とを含むように半導体装置を構成する(図51)。所定の電源電圧は、内部回路等をCMOS回路とすると、その動作電源電圧(図7)、その動作電流(図11)、又はその基板電圧(図17)の制御に用いるとよい。【効果】 製造条件等に対し基準電圧を一定となるようにすれば、回路の動作速度等を一定とすることができる。動作条件に対し基準電圧を所望の依存性を持つようにすれば、所望の回路動作が得られる。
Claim (excerpt)：
内部回路と、前記内部回路の動作特性を位相情報を含む第1信号によって出力する検出回路と、前記内部回路及び前記検出回路に所定の電源電圧を供給するための配線と、前記第1信号を受けてその位相差を検出するとともに当該検出した位相差に応じた検出電圧を出力する回路と、基準電圧と前記検出電圧を比較してその差に応じた電圧を前記所定の電源電圧として前記配線に出力する増幅回路とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
G11C 11/407
, G11C 11/413
G11C 11/34 354 D
, G11C 11/34 335 A
, G11C 11/34 354 F
Cited by examiner (5)
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