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J-GLOBAL ID：200903091286319212

面発光型半導体発光装置

Inventor： 菅原 秀人 ,  石川 正行
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248454
Publication number (International publication number)：1996088404
Application date： Sep. 17, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 InGaAlPからなる発光部における発光効率を改善することができ、輝度向上をはかり得るLEDを提供すること。【構成】 n-GaAs基板11と、この基板11上に形成されたn-InGaAlPクラッド層12と、このクラッド層12上に形成された多層膜発光層13と、この多層膜発光層13上に形成されたp-InGaAlPクラッド層15とを具備し、基板11と反対側の面上から光を取り出すLEDにおいて、多層膜発光層13を、引張り歪を持つ歪量子井戸層13aと圧縮歪を持つ歪緩和障壁層13Bとを積層した多重量子井戸構造にしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の化合物半導体基板と、この基板上に形成された第1導電型のクラッド層と、このクラッド層上に形成された多層膜発光層と、この多層膜発光層上に形成された第2導電型のクラッド層とを具備し、基板と平行な面上から光を取り出す半導体発光装置であって、前記多層膜発光層を前記基板を基準として正と負の格子不整合を持つ半導体層で構成してなることを特徴とする面発光型半導体発光装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-262115   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-215488
  
• 特開平3-021093