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J-GLOBAL ID：200903091287299010

光学的近接効果補正方法及び光強度シミュレーション方法

Inventor： 柴田 英則 ,  辻川 洋行 ,  向井 清士 ,  兵東 千尋
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999361311
Publication number (International publication number)：2001174974
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】チップ内の全マスクパターンに対しOPCを実施し、かつOPCに要する時間の増加を抑制することのできるOPC方法を提供する。【解決手段】マスクパターンの形状やマスクパターン同士の位置関係に応じて光強度シミュレーションモデルを変更し、光強度シミュレーションの繰り返し回数を変更してシミュレーションベースOPCを実施する。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の各マスクパターンに含まれるエッジを、分割するマスクパターンエッジ分割工程と、前記マスクパターンエッジ分割工程で分割した各エッジを、分類するマスクパターンエッジ分類工程と、前記マスクパターンエッジ分類工程により分類したエッジ毎に光強度シミュレーションを行う際に使用するシミュレーションモデルを選択するシミュレーションモデル選択工程と、前記マスクパターンエッジ分類工程により分類したエッジに対し、前記シミュレーションモデル選択工程にて選択したシミュレーションモデルを使用し光強度シミュレーションを行うシミュレーション実施工程と、前記シミュレーション実施工程にてシミュレーションを行う前後のエッジの位置を比較し、その差異に基づいてシミュレーションを行う前のエッジを移動させることによりマスクパターンに対する光学的近接効果補正(OPC)パターンを生成するOPCパターン生成工程とから構成されていることを特徴とする光学的近接効果補正方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  G06F 17/50

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  G06F 15/60 658 M

F-Term (7)：

2H095BB01 ,  5B046AA08 ,  5B046BA05 ,  5B046DA02 ,  5B046FA07 ,  5B046GA06 ,  5B046JA04