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J-GLOBAL ID：200903091291236732
シリカ系被膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996221411
Publication number (International publication number)：1998060649
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 03, 1998
Summary：
【要約】【課題】 良質なシリカ系被膜を得るには、400〜450°C程度の加熱による焼成が必須であり、耐熱性のない基材へのシリカ系被膜への形成は困難である。【解決手段】 テトライソシアネートシランとトリアルキルアミンの混合ガスを用いることにより、従来法より低温条件のCVD法にてシラノール等の含有の極めて少ない良質なシリカ系被膜を形成できることを見出した。
Claim (excerpt)：
テトライソシアネートシラン及びトリアルキルアミンを必須成分とする混合ガスを用い、CVD法により基材上にシリカ系被膜を形成させることを特徴とするシリカ系被膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 16/42
, H01L 21/316 X
