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J-GLOBAL ID：200903091305250768

半導体式物理量センサ

Inventor： 森田 善之 ,  大場 正利 ,  小川 幸男 ,  藤本 尚紀
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079592
Publication number (International publication number)：1995260824
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ビーム3によって支持されたマス部4の下面に可動電極8を設け、可動電極8と対向させてガラス基板6の内面に固定電極9を設け、可動電極8と固定電極9によって静電容量部10を構成する。また、マス部4が下方へ変位した時に伸張歪の発生する位置に歪検出素子11を設ける。従って、加速度による静電容量部10の静電容量値Cの増減と歪検出素子11の抵抗値Rの増減とは同じ向きとなっている。このトランスジューサ部1に接続される演算処理回路21は抵抗値Rと静電容量値Cの積RCを時定数とする関数の形式で信号を出力する。【効果】 静電容量部の静電容量値単独や歪検出素子の抵抗値単独の場合よりも検出感度を高感度化させることができる。

Claim (excerpt)：

ダイヤフラムやマス部等の変位可能な感知部を弾性変形部によって支持し、圧力や加速度等の物理量を感知部の変位として検出する半導体式物理量センサにおいて、前記弾性変形部の弾性歪を検出するための歪検出素子を設け、前記感知部に可動電極を形成すると共に当該可動電極と対向させて固定電極を設けたことを特徴とする半導体式物理量センサ。

IPC (2)：

G01P 15/125 ,  G01L 9/12