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J-GLOBAL ID：200903091309038828

静電容量によるメモリー読みだし法及び装置

Inventor： 中桐 伸行 ,  杉村 博之 ,  山本 琢磨
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995202569
Publication number (International publication number)：1997054992
Application date： Aug. 08, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ディスク表面と接触針との接触圧はアクティブに制御されていないために接触圧を軽減するには限界があり、ディスク表面を傷つけてしまう。また、記録及び再生に際してデータの面密度は電極の大きさで制限されているが、電極が大きいため、データの面密度が悪い。【解決手段】 予め静電容量が局所的に変化するようにデータを記録されたディスク3上に先端の鋭い接触針1を接触させ、接触針1の変位量を計測し、変位量から接触針1とディスク3表面との間の接触圧を制御し、接触針1とディスク3との間に電圧を印加し、接触針1とディスク3との位置を相対的に変化させ、接触針1とディスク3との間の静電容量を測定することによって、ディスク3上に記録されたデータを読み取る。

Claim (excerpt)：

予め静電容量が局所的に変化するようにデータを記録されたディスク上に先端の鋭い接触針を接触させ、前記接触針の変位量を計測し、前記変位量から前記接触針とディスク表面との間の接触圧を制御し、前記接触針とディスクとの間に電圧を印加し、前記接触針とディスクとの位置を相対的に変化させ、前記接触針と前記ディスクとの間の静電容量を測定することによって、前記ディスク上に記録されたデータを読み取るメモリー読み出し方法。

IPC (2)：

G11B 9/06 ,  G01R 27/26

FI (2)：

G11B 9/06 Z ,  G01R 27/26 C