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J-GLOBAL ID：200903091324771523

非晶質太陽電池

Inventor： 宮地 賢司 ,  芦田 芳徳 ,  福田 信弘
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992202406
Publication number (International publication number)：1994053533
Application date： Jul. 29, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【構成】 透光性基板、透明電極、p型半導体薄膜、i型半導体薄膜、n型半導体薄膜、裏面電極の順に積層して形成された非晶質シリコン太陽電池において、透明電極とp型半導体薄膜の間に、5 〜100 Åの膜厚のp型ガリウム窒化物薄膜を介在させることを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。【効果】 透明電極とp型半導体薄膜との反応や還元が抑制され、短絡光電流、特に、開放端電圧が著しく改善された。その結果、極めて高い光電変換効率を有する非晶質シリコン太陽電池が得られる。

Claim (excerpt)：

透光性基板、透明電極、p型半導体薄膜、i型半導体薄膜、n型半導体薄膜、裏面電極の順に積層して形成された非晶質太陽電池において、透明電極とp型半導体薄膜の間に、p型ガリウム窒化物薄膜を介在せしめたことを特徴とする非晶質太陽電池。