半導体装置の実装方法およびその実装構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996262139
Publication number (International publication number)：1998107082
Application date： Oct. 02, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】接続部に対する熱応力を緩和するとともに封止樹脂と半導体チップとの密着力を強化する。【解決手段】半導体チップ1上のチップ電極2にはAuバンプ3が形成されており、一方、配線基板4上の基板電極5にははんだバンプが形成されている。Auバンプ3とはんだバンプ6は互いに接合されている。半導体チップ1と配線基板4との間隙には、封止樹脂7が充填されている。半導体チップ1と配線基板4との間隙に封止樹脂7が充填され硬化された状態において、半導体チップ1側には封止樹脂7のベース樹脂のみからなるベース樹脂層9を形成し、一方、配線基板4側にはベース樹脂とフィラーとの混在層10を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置を配線基板上にフリップチップ接続し、前記半導体装置と前記配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置の実装構造であって、前記封止樹脂が、該封止樹脂を構成するベース樹脂のみが存在する第1の部分と、該ベース樹脂とフィラーが混在する第2の部分とを含むことを特徴とする半導体装置の実装構造。

IPC (4)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/56 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/56 E , H01L 23/30 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-029207
半導体ユニット及びその半導体素子の実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-315397 Applicant：松下電器産業株式会社

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