Pat
J-GLOBAL ID：200903091329900402

半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法

Inventor：
宮崎 忠昭

About 宮崎 忠昭


Applicant, Patent owner：
株式会社ブリヂストン

About 株式会社ブリヂストン


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993306293
Publication number (International publication number)：1995157367
Application date： Dec. 07, 1993
Publication date： Jun. 20, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体製造装置用純度β型炭化ケイ素焼結体の提供。【構成】 液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物と重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下にて焼成して得られた平均粒径が0.5〜20μmであるβ型炭化ケイ素粉末(A)と、焼結助剤として平均粒径が10〜100nmである炭化ケイ素超微粉末(B)を混合した後、得られた混合粉体を高温加圧下で焼結することからなるβ型炭化ケイ素焼結体の製造方法において、該原料及び触媒が不純物元素を実質的に含まないものであり、該中間体物質の炭素/ケイ素のモル比が2.3〜2.5であり、該β型炭化ケイ素焼結体の比抵抗が0.5Ω・cm以下で、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物と重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下にて焼成して得られた平均粒径が0.5〜20μmであるβ型炭化ケイ素粉末(A)と、焼結助剤として平均粒径が10〜100nmである炭化ケイ素超微粉末(B)を混合した後、得られた混合粉体を高温加圧下で焼結することからなるβ型炭化ケイ素焼結体の製造方法において、該原料及び触媒が不純物元素を実質的に含まないものであり、該中間体物質の炭素/ケイ素のモル比が2.3〜2.5であり、該混合粉体中に含まれるB成分の割合が1〜30重量%であり、該β型炭化ケイ素焼結体の比抵抗が0.5Ω・cm以下で、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下であることを特徴とする半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法。
IPC (4)：
C04B 35/626 ,  C01B 31/36 ,  H01L 21/314 ,  H05B 3/14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM