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J-GLOBAL ID：200903091343156201

アクティブマトリックス基板

Inventor： 冨田 賢時
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993213761
Publication number (International publication number)：1995064110
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタを基板上に複数設け、この薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、この絶縁層上に前記ドレイン電極と接続された金属材料などから成る画素電極を形成したアクティブマトリックス基板において、前記絶縁層を光を透過しない黒色の絶縁層で形成した点にある。【効果】 画素電極の下部に位置するソース電極、ドレイン電極およびこれらに接続される配線は、絶縁層で遮蔽される。もって、開口率を大きく犠牲にすること無く、また従来方法よりも複雑なプロセスを経ること無く画素電極以外での反射を防止することが可能となり、明るい高画質な反射型液晶表示装置が実現できる。

Claim (excerpt)：

走査信号配線に接続されるゲート電極、画像信号配線に接続されるソース電極、およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタを基板上に複数設け、この複数の薄膜トランジスタ上に絶縁層を形成し、この絶縁層上に前記ドレイン電極に接続された画素電極を設けたアクティブマトリックス基板において、前記絶縁層を光を透過しない黒色の絶縁層で形成したことを特徴とするアクティブマトリックス基板。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335