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J-GLOBAL ID：200903091369479750

SOIウェ-ハの製造方法

Inventor： 蘇 相 文
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 瀬谷 徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999353608
Publication number (International publication number)：2000196048
Application date： Dec. 13, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 CMP工程の代りに酸化工程とウェットエッチング工程を用いることにより、半導体層の厚さの均一度を向上させることができるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 ベース基板11及び半導体基板を提供する段階;前記ベース基板上に絶縁膜12を形成する段階;前記半導体基板内にその一側面より所定深さにホウ素イオン層を形成する段階;前記絶縁膜と半導体基板の一側面がコンタクトされるように、前記ベース基板と半導体基板をボンディングする段階;前記半導体基板の他側面を前記ホウ素イオン層に隣接した部分まで研削する段階;前記ホウ素イオン層が露出するように、研磨された半導体基板の他側面をエッチングする段階;前記ホウ素イオン層を含めた半導体基板の一部を熱酸化させて酸化膜12を形成する段階;及び前記酸化膜をエッチングして半導体層21aを形成する段階から構成する。

Claim (excerpt)：

ベース基板及び半導体基板を提供する段階;前記ベース基板上に絶縁膜を形成する段階;前記半導体基板内に、その一側面より所定深さにホウ素イオン層を形成する段階;前記絶縁膜と半導体基板の一側面がコンタクトされるように、前記ベース基板と半導体基板をボンディングする段階;前記半導体基板の他側面を前記ホウ素イオン層に隣接した部分まで研削する段階;前記ホウ素イオン層が露出するように、研磨された半導体基板の他側面をエッチングする段階;前記ホウ素イオン層を含めた半導体基板の一部を熱酸化させて酸化膜を形成する段階;及び、前記酸化膜をエッチングして半導体層を形成する段階を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 W