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J-GLOBAL ID：200903091388822202

半導体基板内に垂直な中空針を形成する方法

Inventor： ストーバー、ボリス ,  リープマン、ドリアン
Applicant, Patent owner： ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア
Agent (1)： 山崎 行造 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001549726
Publication number (International publication number)：2003519014
Application date： Jan. 02, 2001
Publication date： Jun. 17, 2003
Summary：

【要約】非等方的エッチングにより半導体基板の裏側にチャンネルを形成するステップを含む針形成方法を提供する。次に半導体基板の表側を等方的にエッチングしてチャンネルを囲む垂直な軸方向面を形成する。製造された針は半導体材料から形成された細長体を有する。細長体は、第1端と第2端の間に位置する軸方向面を含む。軸方向面は第1端と第2端の間にチャンネルを形成する。1実施形態において、第1端は、単一の周線尖端を備える傾斜先端を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の裏側を非等方的にエッチングしてチャンネルを形成するステップと、 前記半導体基板の表側を等方的にエッチングして前記チャンネルを囲む垂直な軸方向面を形成するステップとを、含んでなる針の形成方法。

IPC (5)：

B81C 1/00 ,  A61M 5/158 ,  A61M 37/00 ,  B81B 1/00 ,  H01L 21/66

FI (5)：

B81C 1/00 ,  A61M 37/00 ,  B81B 1/00 ,  H01L 21/66 B ,  A61M 5/14 369 B

F-Term (20)：

4C066AA10 ,  4C066BB01 ,  4C066CC01 ,  4C066DD01 ,  4C066DD06 ,  4C066EE11 ,  4C066FF03 ,  4C066KK02 ,  4C066PP01 ,  4C167AA71 ,  4C167BB02 ,  4C167BB07 ,  4C167BB23 ,  4C167BB31 ,  4C167BB40 ,  4C167CC01 ,  4C167CC05 ,  4C167GG16 ,  4M106BA01 ,  4M106DD03