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J-GLOBAL ID：200903091391840769

半導体装置の絶縁膜処理法

Inventor： 本間 哲哉
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991242239
Publication number (International publication number)：1993082512
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】低温で形成した絶縁膜中の含有水分量を減少させしめ、かつ、低温で緻密化・高品質化せしめる。【構成】絶縁膜を、アルコキシフルオロメタルの蒸気に曝すことによって、図2に示すように、膜中の含有水分量を減少せしめる。【効果】低温で含有水分量が少く、かつ、緻密化が可能である。また、リーク電流も少い高品質な膜が形成可能である。さらに、半導体装置の製造における処理温度を著しく減じることができるため、製造歩留り,信頼性を著しく改善できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、アルコキシフルオロメタルを主成分とする蒸気に前記絶縁膜を曝す工程と、熱処理せしめる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の絶縁膜処理法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3105 ,  H01L 21/312