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J-GLOBAL ID：200903091393430207

エッチング処理方法

Inventor： 輿水 地塩
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037811
Publication number (International publication number)：1995226397
Application date： Feb. 10, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 側壁保護膜によるエッチング箇所の閉鎖を防止してアスペクト比通りのエッチングが行なえる処理方法を提供する。【構成】 プラズマ生成用の不活性のガスを常時一定量供給する一方、エッチング箇所に形成される側壁保護膜G3の成長を抑制することができる保護膜形成用ガスの供給量がエッチング期間内でパルス変調によって供給される。これにより、エッチング箇所での開口の閉鎖を防止してスパッタリング用イオンの入射および反応生成物の排気を確保することができる。

Claim (excerpt)：

複数種類のガスを導入して被処理体のエッチングを行う方法において、上記複数のガスは、エッチング部位の側壁保護膜形成に寄与する保護膜形成用ガスを含み、少なくとも上記側壁保護膜形成用ガスの供給流量を、複数種のガス間でパルス変調により変化させて供給する工程を有することを特徴とするエッチング処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00