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J-GLOBAL ID：200903091395351754

電界効果型トランジスタ

Inventor： 岡村 寿
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002035383
Publication number (International publication number)：2003243660
Application date： Feb. 13, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】電界効果移動度が大きいとともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、前記半導体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有する超分岐高分子化合物を含有する電界効果型トランジスタにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

Claim (excerpt)：

半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、前記半導体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有する超分岐高分子化合物を含有する電界効果型トランジスタにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  C08G 61/00 ,  C08G 65/38 ,  C08G 73/00 ,  H01L 51/00

FI (5)：

C08G 61/00 ,  C08G 65/38 ,  C08G 73/00 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28

F-Term (32)：

4J005AA23 ,  4J005BD05 ,  4J005BD06 ,  4J032BA12 ,  4J032CG01 ,  4J043PA13 ,  4J043PB23 ,  4J043RA02 ,  4J043RA08 ,  4J043SA05 ,  4J043UA121 ,  4J043UA131 ,  4J043UB011 ,  4J043ZA45 ,  4J043ZB50 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ06