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J-GLOBAL ID：200903091410063027

RWG型半導体レーザー装置及び製造方法

Inventor： 朴 贊勇 ,  劉 址範 ,  朴 景鉉 ,  金 弘晩 ,  張 東薫 ,  李 重基
Applicant, Patent owner： 財団法人韓国電子通信研究所 ,  韓国電気通信公社
Agent (1)： 富田 和子 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993318159
Publication number (International publication number)：1994237046
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【構成】 InP基板の上に活性層、光導波路層を有し、その上にクラッディング層とオーム接触層で構成されたリッジの上にこのリッジの上層の幅rと同じ幅を有するp-電極金属ストライプ、幅w(w<r)のオーム接触窓(window)ストライプを有する誘電体物質、p-面ボンディングパッド金属が順次形成された構成を有する。【効果】 オーム接触抵抗を小さくして、リッジの幅を狭くすることができる。このため、熱発生が減り、発振臨界電流が減少される。

Claim (excerpt)：

InP基板31の上に、活性層32、光導波路層33を有し、その上にクラッディング層34とオーム接触層35で構成されたリッジの上に、このリッジの上層の幅rと同じ幅を有するp-電極金属ストライプ38、幅w(w<r)のオーム接触窓(window)ストライプを有する誘電体物質39、p-面ボンディングパッド金属40が順次形成された構成を有するRWG型半導体レーザー装置。