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J-GLOBAL ID：200903091415332255
プラズマ処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001668
Publication number (International publication number)：1995211645
Application date： Jan. 12, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 プラズマ処理装置において、プラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く排除し、それによって微粒子が処理対象基板や真空容器内各部に付着することを抑制するとともに、従来より高速処理を可能とする。【構成】 成膜用の真空容器1内に高周波電極3及び被処理基板設置のための電極2を有するプラズマCVD装置において、両電極間のプラズマ発生領域P、電極3の周縁部35及び電極3の背面部36を囲み、プラズマ発生領域Pの方に向け開口した内外2重の微粒子排出ダクト8、8Aを設ける。
Claim (excerpt)：
排気装置により所定の処理真空状態にできる真空容器内に、プラズマ生成用電力印加のための電極及びこれに対向する電極を設け、該両電極間に導入した処理用ガスを前記電力印加用電極に電力印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで前記いずれかの電極に設置される処理対象基板に目的とするプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記両電極間のプラズマ発生領域、前記電力印加用電極の周縁部及び前記電力印加用電極の背面部を囲み、前記プラズマ発生領域の方に向け開口した内側の微粒子排出ダクト、並びに前記内側ダクトの少なくとも前記プラズマ発生領域を取り囲む部分を外側から囲み、前記プラズマ発生領域の方に向け開口した外側の微粒子排出ダクトを設けるとともに、前記内側ダクトに前記電力印加用電極の背面側中央部に対応する位置において排気手段を接続し、前記外側ダクトにも排気手段を接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
