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J-GLOBAL ID：200903091418847345
化合物半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997177422
Publication number (International publication number)：1999026879
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 一部を酸化して形成した酸化層を有する化合物半導体発光素子において、発光効率の低下を防ぐことができること。【解決手段】 キャリア含有層(15および23bb)と酸化層19bとを含む化合物半導体発光素子において、キャリア含有層と酸化層との間に、キャリア含有層を構成する化合物半導体材料のバンドギャップ(禁制帯幅)よりも大きいバンドギャップを有する材料を含んでなる中間薄膜(17および21)が設けてあり、この中間薄膜の膜厚は、キャリア含有層内のキャリアの、中間薄膜と酸化層との界面付近に発生する界面準位へのトラップを回避することができる程度の膜厚とする。
Claim (excerpt)：
キャリア含有層と酸化層とを含む化合物半導体発光素子において、前記キャリア含有層と前記酸化層との間に、前記キャリア含有層を構成する化合物半導体材料のバンドギャップ(禁制帯幅)よりも大きいバンドギャップを有する材料を含んでなる中間薄膜が設けてあり、および、該中間薄膜の膜厚は、前記キャリア含有層内のキャリアの、前記中間薄膜と酸化層との界面付近に発生する界面準位へのトラップを回避することができる程度の膜厚とすることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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