Pat

J-GLOBAL ID：200903091436999802

多層配線層の形成方法

Inventor： 角田 弘昭 ,  川口 達三
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994238683
Publication number (International publication number)：1996107143
Application date： Oct. 03, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は、第1の配線層11上に形成されたシリコン酸化膜12に、第2の配線層を埋め込むための開口部を形成するにあたり、シリコン酸化膜12上に形成するレジストの形状に特徴がある。開口部には配線溝とコンタクトホールがあり、コンタクトホールは配線溝の下に形成する。通常、配線溝とコンタクトホールの断面は階段形状を有する。従来、この配線溝とコンタクトホールは別々の工程で形成されていたが、本発明ではレジストの形状を階段形状にすることにより、一回の工程で階段形状を有する開口部を形成することができる。【効果】 本発明を用いると、配線溝とコンタクトホールを同時に形成することができ、効果的な多層配線の形成方法を提供することができる。

Claim (excerpt)：

第1の配線層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成するにあたり、前記絶縁膜が露出する部分に面する前記フォトレジストパターンの開口部の幅を、前記絶縁膜の露出面に近づくにつれ狭く形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクに前記絶縁膜をエッチングし、前記第1の配線層を露出させ、かつ前記第1の配線層が露出する部分に面する前記絶縁膜の開口部の幅を、前記第1の配線層の露出面に近づくにつれ狭く形成する工程と、 前記第1の配線層の露出面上および前記絶縁膜上に第2の配線層を形成する工程と、前記絶縁膜上面の所定箇所が露出するよう前記第2の配線層を除去し、その際前記第1の配線層上に第2の配線層が残存していることを特徴とする多層配線層の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 D