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J-GLOBAL ID：200903091447573904

シリコン単結晶の製造方法

Inventor： 桜田 昌弘
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991185174
Publication number (International publication number)：1993009096
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン単結晶内部の積層欠陥及び/又は微小欠陥を抑止し、さらにリングOSFの発生を実用上無視できる程度に抑制し、さらに酸化膜耐圧の向上を図ることができるようにシリコン単結晶を製造する。【構成】 引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設け、該円筒の内壁を断熱反射材料からなる被覆部材で被覆したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、単結晶棒を0.8〜1.1mm/minの引上速度で製造する。

Claim (excerpt)：

引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設け、該円筒の内壁を断熱反射材料からなる被覆部材で被覆したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、単結晶棒を0.8〜1.1mm/minの引上げ速度で製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-105992
  
• 特開昭62-138384
  
• 特開昭64-072984